武汉凌久微电子有限公司荣获2022年度湖北省信创工委会先进单位称号
2022年,武汉凌久微电子有限公司(以下简称“凌久微”)在信创领域取得突出成果,荣获2022年度湖北省信创工委会先进单位称号。
2022年,武汉凌久微电子有限公司(以下简称“凌久微”)在信创领域取得突出成果,荣获2022年度湖北省信创工委会先进单位称号。
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众所周知,特斯拉是电动汽车和技术开发的领跑者。特斯拉Model 3 电动汽车主驱逆变器率先应用碳化硅(SiC) MOSFET,开启了EV动力总成设计的新篇章。其后续车型Model S Plaid 和 Model Y都延续了Model 3的技术路线,在主驱逆变器设计中使用碳化硅(SiC) MOSFET。
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本文介绍了现代硅基大功率半导体器件的历史演变和新型器件结构的研究进展,以及宽禁带半导体材料和器件的现状;阐述了国内大功率半导体器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等领域的研发进展和应用现状;最后讨论了大功率半导体技术面临的技术挑战和发展趋势。
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压控振荡器全称为电压控制晶体振荡器(VCXO),属于有源晶振的一种。与SPXO相比,VCXO最大的不同点在于:压控晶振在振荡电路中插入了变容二极管,实现可通过控制电压在小范围内进行频率调整的功能。
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近日,芯塔电子650V/60mΩ DFN8*8封装SiC MOSFET产品正式发布,产品型号代码TM2G0060065M。目前产品已通过高端工业电源客户验证,并获得多家客户的意向订单。
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日前,清纯半导体(宁波)有限公司(以下简称“清纯半导体”)宣布完成数亿元A+轮融资。
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近年来,中国新能源产业蓬勃发展,加速了上游电力电子器件的国产化进程。SiC MOSFET及硅IGBT功率半导体模块作为新能源汽车、新能源发电等电力电子系统中的核心部件,全面国产化势在必行。FT测试,作为功率半导体器件出厂的最后一道关卡,承担着把住门槛(筛选不良品)和保住产能(持续交付)的重要责任。
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2023上海车展,基本上成了国产芯片的秀场。 这届车展上,国产芯片厂商地平线、黑芝麻等拿下了多个合作车型或品牌,包括比亚迪汉、星途星纪元ES、东风乘用车eπ、领克08、哪吒GT、合创V09等。
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近期,经过地市科技部门审核推荐下,由广东省高新技术企业协会专家组严格评审,微容科技“移动通信射频PA模组专用高端MLCC”产品被评选为“2022年度广东省名优高新技术产品”。
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由Aspencore颁发的中国IC设计成就奖是我国半导体行业最重要、最有公信力、历史最悠久的奖项之一,至今已走过21年。威兆半导体IGBT产品HCKW75N65BH2荣获2023年度中国IC设计成就奖之热门IC产品奖项——年度年度最佳功率器件/宽禁带器件。
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